maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S20HE3/2D
Référence fabricant | SM8S20HE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S20HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S20HE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 20V |
Tension - Panne (Min) | 22.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 35.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 184A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S20HE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S20HE3/2D-FT |
SM6S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation