maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S17A-E3/2D
Référence fabricant | SM6S17A-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S17A-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM6S17A-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 17V |
Tension - Panne (Min) | 18.9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 27.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 167A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S17A-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S17A-E3/2D-FT |
SM5S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel