maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S13AHE3_A/I
Référence fabricant | SM8S13AHE3_A/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SM8S13AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S13AHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 13V |
Tension - Panne (Min) | 14.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 21.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 307A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S13AHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S13AHE3_A/I-FT |
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/K
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100E-6TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC6SLX75-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC3090L-8PC84C
Xilinx Inc.
5AGXBA5D4F35I5N
Intel