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Référence fabricant | SJPL-H6VR |
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Numéro de pièce future | FT-SJPL-H6VR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPL-H6VR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPL-H6VR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPL-H6VR-FT |
SB580E-G
Comchip Technology
SDM1M40LP8Q-7
Diodes Incorporated
SDT5A50SA-13
Diodes Incorporated
SFT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel