maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SIZ918DT-T1-GE3
Référence fabricant | SIZ918DT-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIZ918DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIZ918DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A, 28A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 13.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 15V |
Puissance - Max | 29W, 100W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PowerPair® (6x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ918DT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIZ918DT-T1-GE3-FT |
SI5920DC-T1-E3
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SI5920DC-T1-GE3
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SI5933CDC-T1-E3
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