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Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3

Name: SIHD1K4N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD1K4N60E-GE3
Price: 1.056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (21 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIHD1K4N60E-GE3

quantité disponible: 12680 Pièces

Prix de référence: USD 1.056

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: E MOSFET N-CH DPAK TO-252

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIHD1K4N60E-GE3.pdf

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SIHD1K4N60E-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIHD1K4N60E-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIHD1K4N60E-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	E
SIHD1K4N60E-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	172pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHD1K4N60E-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIHD1K4N60E-GE3-FT

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