maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUD20N10-66L-GE3
Référence fabricant | SUD20N10-66L-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SUD20N10-66L-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUD20N10-66L-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD20N10-66L-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUD20N10-66L-GE3-FT |
SIHP28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP30N60AEL-GE3
Vishay Siliconix
SIHP11N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP12N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHFB11N50A-E3
Vishay Siliconix
SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel