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Vishay Siliconix SIDR638DP-T1-GE3

Name: SIDR638DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR638DP-T1-GE3
Price: 0.850832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (591 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIDR638DP-T1-GE3

quantité disponible: 25320 Pièces

Prix de référence: USD 0.850832

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIDR638DP-T1-GE3.pdf

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SIDR638DP-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIDR638DP-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIDR638DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET® Gen IV
SIDR638DP-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	204nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8DC
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDR638DP-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIDR638DP-T1-GE3-FT

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