maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SQM40N15-38_GE3
Référence fabricant | SQM40N15-38_GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SQM40N15-38_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SQM40N15-38_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3390pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 166W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM40N15-38_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQM40N15-38_GE3-FT |
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Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation