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Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3

Name: SIDR610DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR610DP-T1-GE3
Price: 1.53612 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (373 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIDR610DP-T1-GE3

quantité disponible: 23770 Pièces

Prix de référence: USD 1.53612

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIDR610DP-T1-GE3.pdf

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SIDR610DP-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIDR610DP-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIDR610DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SIDR610DP-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8DC
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDR610DP-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIDR610DP-T1-GE3-FT

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