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Référence fabricant | SIA427ADJ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA427ADJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIA427ADJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA427ADJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA427ADJ-T1-GE3-FT |
SI4850EY-T1
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SI4858DY-T1-E3
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