maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4876DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4876DY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4876DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4876DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 21A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4876DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4876DY-T1-E3-FT |
SI4411DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4411DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4412ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4418DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4418DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4420BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4430BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4430BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4431CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel