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Référence fabricant | SI8261BAC-C-ISR |
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Numéro de pièce future | FT-SI8261BAC-C-ISR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
SI8261BAC-C-ISR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La technologie | Capacitive Coupling |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Immunité transitoire en mode commun (Min) | 35kV/µs |
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
Déformation de largeur d'impulsion (Max) | 28ns |
Temps de montée / descente (type) | 5.5ns, 8.5ns |
Courant - Sortie haut, bas | 500mA, 1.2A |
Courant - Sortie de crête | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 30mA |
Tension - Alimentation | 6.5V ~ 30V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Approbations | CQC, CSA, UR, VDE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8261BAC-C-ISR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI8261BAC-C-ISR-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX50CF484C6N
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XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BGG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C5
Intel