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Référence fabricant | SI8220DB-D-IS |
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Numéro de pièce future | FT-SI8220DB-D-IS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
SI8220DB-D-IS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La technologie | Capacitive Coupling |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 2500Vrms |
Immunité transitoire en mode commun (Min) | 30kV/µs (Typ) |
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 40ns |
Déformation de largeur d'impulsion (Max) | - |
Temps de montée / descente (type) | 20ns, 20ns (Max) |
Courant - Sortie haut, bas | 1.5A, 2.5A |
Courant - Sortie de crête | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 2.5V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 30mA |
Tension - Alimentation | 14.8V ~ 24V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Approbations | CQC, CSA, UR, VDE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8220DB-D-IS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI8220DB-D-IS-FT |
SI8751AB-ISR
Silicon Labs
SI8220DB-D-IS
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XC6SLX75-N3CSG484C
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XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-3
Intel
EP2C20F484C6
Intel
5SGXMA3E3H29I4N
Intel
XC2V6000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1020C5N
Intel