maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7862ADP-T1-E3
Référence fabricant | SI7862ADP-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI7862ADP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7862ADP-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 16V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 29A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7340pF @ 8V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7862ADP-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7862ADP-T1-E3-FT |
SIS890DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA18DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA72ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS460EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS840EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI7460DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7848BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel