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Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3
- Numéro de pièce MFG
- SISA18DN-T1-GE3
- quantité disponible
- 98910 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
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- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SISA18DN-T1-GE3.pdf
SISA18DN-T1-GE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SISA18DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SISA18DN-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® |
| SISA18DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 38.3A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SISA18DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SISA18DN-T1-GE3-FT |
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