maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7858ADP-T1-GE3
Référence fabricant | SI7858ADP-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI7858ADP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7858ADP-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7858ADP-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7858ADP-T1-GE3-FT |
SIS862DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS890DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA18DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA72ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS460EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS840EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI7460DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation