maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7447ADP-T1-E3
Référence fabricant | SI7447ADP-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7447ADP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7447ADP-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4650pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7447ADP-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7447ADP-T1-E3-FT |
SI7114ADN-T1-GE3
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel