maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7114ADN-T1-GE3
Référence fabricant | SI7114ADN-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI7114ADN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7114ADN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7114ADN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7114ADN-T1-GE3-FT |
IRFU120PBF
Vishay Siliconix
IRFU9014PBF
Vishay Siliconix
IRLU024PBF
Vishay Siliconix
IRFU420PBF
Vishay Siliconix
IRFU9310PBF
Vishay Siliconix
IRFU9024PBF
Vishay Siliconix
IRFU420APBF
Vishay Siliconix
IRFU9010PBF
Vishay Siliconix
IRFU320PBF
Vishay Siliconix
IRFU1N60APBF
Vishay Siliconix
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel