maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7413DN-T1-GE3
Référence fabricant | SI7413DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7413DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7413DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 13.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7413DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7413DN-T1-GE3-FT |
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Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel