maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4511DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4511DY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4511DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4511DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.2A, 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4511DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4511DY-T1-E3-FT |
SI4559ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4900DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9945BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4286DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9926CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SH8KA4TB
Rohm Semiconductor
SI4204DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4618DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4904DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel