maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4447DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4447DY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4447DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4447DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 4.5A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 805pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4447DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4447DY-T1-E3-FT |
IRF7526D1PBF
Infineon Technologies
IRF7526D1TR
Infineon Technologies
IRF7526D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7534D1
Infineon Technologies
IRF7534D1PBF
Infineon Technologies
IRF7534D1TR
Infineon Technologies
IRF7601PBF
Infineon Technologies
IRF7603TRPBF
Infineon Technologies
IRF7604TRPBF
Infineon Technologies
IRF7606TR
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel