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Infineon Technologies IRF7601PBF

Numéro de pièce MFG
IRF7601PBF
quantité disponible
30870 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF7601PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF7601PBF
Numéro de pièce future FT-IRF7601PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF7601PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Micro8™
Paquet / caisse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7601PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF7601PBF-FT

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