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Référence fabricant | SI3139KE-TP |
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Numéro de pièce future | FT-SI3139KE-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SI3139KE-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 660mA |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3139KE-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3139KE-TP-FT |
PMCM4401UPEZ
Nexperia USA Inc.
STW70N60DM6
STMicroelectronics
STW75N60DM6
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STW65N60DM6
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APT20M38SVRG/TR
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