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APT7M120S Image

Microsemi Corporation APT7M120S

Numéro de pièce MFG
APT7M120S
quantité disponible
25570 Pièces
Prix de référence
USD 5.620584
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT7M120S.pdf
APT7M120S Image

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APT7M120S Caractéristiques

Référence fabricant APT7M120S
Numéro de pièce future FT-APT7M120S
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 8™
APT7M120S Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2565pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 335W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D3Pak
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT7M120S Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT7M120S-FT

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