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Référence fabricant | SI2305DS-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI2305DS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI2305DS-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2305DS-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI2305DS-T1-E3-FT |
BSS126 E6327
Infineon Technologies
BSS126 E6906
Infineon Technologies
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS126H6906XTSA1
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BSS126L6327HTSA1
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BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS127 E6327
Infineon Technologies
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS127L6327HTSA1
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BSS131E6327
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
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AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
Intel