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Référence fabricant | SI1499DH-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1499DH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1499DH-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1499DH-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1499DH-T1-GE3-FT |
SPA21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
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