maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI1404BDH-T1-GE3
Référence fabricant | SI1404BDH-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1404BDH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1404BDH-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1404BDH-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1404BDH-T1-GE3-FT |
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