maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI1025X-T1-GE3
Référence fabricant | SI1025X-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1025X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1025X-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 190mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
Puissance - Max | 250mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1025X-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1025X-T1-GE3-FT |
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