maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SFF506GHC0G
Référence fabricant | SFF506GHC0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SFF506GHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SFF506GHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF506GHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFF506GHC0G-FT |
VS-30BQ100GTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS340TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS360TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
TRS8E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel