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TRS12E65C,S1Q Image

Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q

Numéro de pièce MFG
TRS12E65C,S1Q
quantité disponible
42580 Pièces
Prix de référence
USD 9.8
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TRS12E65C,S1Q.pdf
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TRS12E65C,S1Q Caractéristiques

Référence fabricant TRS12E65C,S1Q
Numéro de pièce future FT-TRS12E65C,S1Q
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TRS12E65C,S1Q Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 12A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 12A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 90µA @ 170V
Capacité @ Vr, F 65pF @ 650V, 1MHz
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-220-2
Package d'appareils du fournisseur TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction 175°C (Max)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TRS12E65C,S1Q Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TRS12E65C,S1Q-FT

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