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Référence fabricant | TRS12E65C,S1Q |
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Numéro de pièce future | FT-TRS12E65C,S1Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TRS12E65C,S1Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 12A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 90µA @ 170V |
Capacité @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2L |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TRS12E65C,S1Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TRS12E65C,S1Q-FT |
S5AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel