maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SE70PJHM3_A/I
Référence fabricant | SE70PJHM3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-SE70PJHM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SE70PJHM3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.9A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 7A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.6µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 76pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE70PJHM3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SE70PJHM3_A/I-FT |
BAT42WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel