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Référence fabricant | BAT42WS-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT42WS-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAT42WS-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT42WS-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT42WS-HE3-18-FT |
RGP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15MHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15MHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel