maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SE30AFJ-M3/6A
Référence fabricant | SE30AFJ-M3/6A |
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Numéro de pièce future | FT-SE30AFJ-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SE30AFJ-M3/6A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE30AFJ-M3/6A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SE30AFJ-M3/6A-FT |
IMBD4448-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel