maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IMBD4448-G3-18
Référence fabricant | IMBD4448-G3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IMBD4448-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
IMBD4448-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 10mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMBD4448-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMBD4448-G3-18-FT |
VS-15ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX0806FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4TU2006TFP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel