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Référence fabricant | SDT10A100P5-7 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT10A100P5-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SDT10A100P5-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT10A100P5-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT10A100P5-7-FT |
APD260VGTR-E1
Diodes Incorporated
BAV5004WSQ-7
Diodes Incorporated
BAW56DWQ-7-F
Diodes Incorporated
CD411699D
Powerex Inc.
GATELEADMPWHPK1258XXPSA1
Infineon Technologies
GATELEADRD406XPSA1
Infineon Technologies
GATELEADWH406XPSA1
Infineon Technologies
GATELEADWHBK750XXPSA1
Infineon Technologies
GATELEADWHBN661XXPSA1
Infineon Technologies
GATELEADWHBU445XXPSA1
Infineon Technologies
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel