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Référence fabricant | GATELEADWHBN661XXPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-GATELEADWHBN661XXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GATELEADWHBN661XXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GATELEADWHBN661XXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GATELEADWHBN661XXPSA1-FT |
1N5294UR-1
Microsemi Corporation
1N5295UR-1
Microsemi Corporation
1N5297-1
Microsemi Corporation
1N5298-1
Microsemi Corporation
1N5298UR-1
Microsemi Corporation
1N5302UR-1
Microsemi Corporation
1N5303-1
Microsemi Corporation
1N5303UR-1
Microsemi Corporation
1N5304UR-1
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1N5305-1
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Xilinx Inc.
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5SGSED8N2F45I3LN
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