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Référence fabricant | SDS850R-222N |
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Numéro de pièce future | FT-SDS850R-222N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDS850R |
SDS850R-222N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 2.5A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" L x 0.315" W (10.50mm x 8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.189" (4.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDS850R-222N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDS850R-222N-FT |
SPD127-393M
API Delevan Inc.
SPD127-394M
API Delevan Inc.
SPD127-472M
API Delevan Inc.
SPD127-473M
API Delevan Inc.
SPD127-474M
API Delevan Inc.
SPD127-563M
API Delevan Inc.
SPD127-564M
API Delevan Inc.
SPD127-682M
API Delevan Inc.
SPD127-683M
API Delevan Inc.
SPD127-684M
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel