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Référence fabricant | SDE1006A-3R9M |
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Numéro de pièce future | FT-SDE1006A-3R9M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE1006A |
SDE1006A-3R9M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.9µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 5.2A |
Courant - Saturation | 5.7A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 27 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 40.6MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-3R9M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE1006A-3R9M-FT |
SRN2010TA-1R5Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-3R3M
Bourns Inc.
SRN2010TA-6R8M
Bourns Inc.
SRN2010TA-R47Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-R68Y
Bourns Inc.
SRN2009T-2R2M
Bourns Inc.
SRN2009T-100M
Bourns Inc.
SRN2009T-1R0M
Bourns Inc.
SRN2009T-1R5M
Bourns Inc.
SRN2009T-3R3M
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel