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Référence fabricant | SRN2009T-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-SRN2009T-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SRN2009T |
SRN2009T-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 900mA |
Courant - Saturation | 900mA |
Blindage | Semi-Shielded |
Résistance DC (DCR) | 160 mOhm |
Q @ Freq | 16 @ 1MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 150MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRN2009T-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRN2009T-2R2M-FT |
SRN4018-1R5Y
Bourns Inc.
SRN4018-3R3M
Bourns Inc.
SRN4018-151M
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SRN4012TA-2R2M
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SRN4012TA-3R3M
Bourns Inc.
SRN4012TA-100M
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SRN4012TA-4R7M
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel