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Référence fabricant | SD103AW-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-SD103AW-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SD103AW-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103AW-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD103AW-G3-18-FT |
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel