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Référence fabricant | BAS16D-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16D-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS16D-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16D-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16D-HE3-08-FT |
VS-60CPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
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