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STMicroelectronics SCTWA50N120

Name: SCTWA50N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTWA50N120
Price: 22.9848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (514 reviews)

Numéro de pièce MFG: SCTWA50N120

quantité disponible: 67030 Pièces

Prix de référence: USD 22.9848

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SCTWA50N120.pdf

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SCTWA50N120 Caractéristiques

Référence fabricant	SCTWA50N120
Numéro de pièce future	FT-SCTWA50N120
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SCTWA50N120 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	318W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	HiP247™
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTWA50N120 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SCTWA50N120-FT

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