maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SBT80-10Y-E
Référence fabricant | SBT80-10Y-E |
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Numéro de pièce future | FT-SBT80-10Y-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SBT80-10Y-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | SMP-FD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT80-10Y-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBT80-10Y-E-FT |
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
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BAS21UE6433HTMA1
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BAV70UE6327HTSA1
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BAV99UE6327HTSA1
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BAW56UE6433HTMA1
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IMP11T110
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LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX100-2FG676C
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Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
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