maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / IMN11T110
Référence fabricant | IMN11T110 |
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Numéro de pièce future | FT-IMN11T110 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IMN11T110 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMN11T110 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMN11T110-FT |
BAS 70-06 B5003
Infineon Technologies
BAS40-06LT1
ON Semiconductor
BAT 54-04 B5003
Infineon Technologies
BAT 54-05 B5003
Infineon Technologies
BAT 54-06 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-04 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-05 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-06 B5003
Infineon Technologies
BAT1805E6327NTSA1
Infineon Technologies
BAT54A
ON Semiconductor
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel