maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SBRT10U60D1Q-13
Référence fabricant | SBRT10U60D1Q-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SBRT10U60D1Q-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, SBR® |
SBRT10U60D1Q-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 520mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT10U60D1Q-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBRT10U60D1Q-13-FT |
A187PD
Powerex Inc.
A187PE
Powerex Inc.
A187RB
Powerex Inc.
A187RD
Powerex Inc.
A187RM
Powerex Inc.
A187RN
Powerex Inc.
A187RP
Powerex Inc.
A187RPB
Powerex Inc.
A187RPD
Powerex Inc.
A187RPE
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel