Référence fabricant | A187RM |
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Numéro de pièce future | FT-A187RM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A187RM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AA, DO-8, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A187RM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A187RM-FT |
1N4589R
Powerex Inc.
1N4591
Powerex Inc.
1N4591R
Powerex Inc.
1N4720
Microsemi Corporation
1N4722
Microsemi Corporation
1N4723
Microsemi Corporation
1N4724
Microsemi Corporation
1N5283UR-1
Microsemi Corporation
1N5284UR-1
Microsemi Corporation
1N5286UR-1
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel