maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SBRT10U60D1-13
Référence fabricant | SBRT10U60D1-13 |
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Numéro de pièce future | FT-SBRT10U60D1-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SBRT10U60D1-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 520mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT10U60D1-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBRT10U60D1-13-FT |
6A4-T
Diodes Incorporated
6A05-T
Diodes Incorporated
6A2-T
Diodes Incorporated
6A8-T
Diodes Incorporated
10A04-T
Diodes Incorporated
10A01-T
Diodes Incorporated
PR6005-T
Diodes Incorporated
10A05-T
Diodes Incorporated
PR6002-T
Diodes Incorporated
PR6004-T
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel