Référence fabricant | 6A05-T |
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Numéro de pièce future | FT-6A05-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6A05-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A05-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A05-T-FT |
BAL99-7
Diodes Incorporated
BAL99TA
Diodes Incorporated
BAR99TA
Diodes Incorporated
BAS116
Diodes Incorporated
BAS16-7
Diodes Incorporated
BAS16TA
Diodes Incorporated
BAS19-7
Diodes Incorporated
BAS20-7
Diodes Incorporated
BAS21-7
Diodes Incorporated
BAS21TA
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel