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Référence fabricant | SB2M-M3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-SB2M-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SB2M-M3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB2M-M3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SB2M-M3/5BT-FT |
SS24HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation